经过生产验证的,复杂的半导体IP核

半导体电路设计IP及配套交付件


T2M Bluetooth TSMC 22nm 工艺 BLE v6.0 射频 PHY IP

TSMC 22nm 工艺 BLE v6.0 射频 PHY IP

概述和功能介绍

本 BLE v6.0 射频 PHY IP 基于 TSMC 22nm 工艺开发,专为低功耗蓝牙技术而设计,重点支持信道探测功能。该特性可实现实时、精确的信道测量,提升通信质量,并在 AIoT、蓝牙音频、可穿戴设备等高需求应用中提供优异性能。

该收发器除支持 BLE 5.4 PHY 层选项(2 Mbps、长距离模式及方向探测)外,还提供可编程基带,便于实现专有协议。信道探测功能可显著改善干扰处理与信号完整性,是下一代无线技术解决方案的关键。

超低功耗设计、集成 LDO 电源管理及全可编程调制解调器,令本 IP 在 SoC 中无缝集成、兼容主流蓝牙控制器,使其成为 TWS 耳机、智能手表和助听器等功耗敏感终端的理想选择。

功能描述
  • 超低功耗 & 低电压:

    • RX BLE 模式典型功耗:4.2 mW;

    • TX BR/BLE 模式典型功耗:95 mW(+13 dBm 输出);

    • 核心供电电压最低可至 0.9 V。

  • 高集成度 & 易用性:

    • 集成射频 LDO。
    • 仅需一枚外部元件(射频晶振)。
  • 灵活兼容

    • 支持低功耗蓝牙、IEEE 802.15.4 OQPSK 及专有协议;
    • 可编程数据速率最高达 2 Mbps,支持 FSK 调制选项。
  • 数字基带与接口
    • 高度灵活的数字基带,支持可配置调制与可编程功能;

    • 可根据 SoC/ASIC 集成需求添加定制接口;

    • 兼容主流链路层及堆栈 IP 核。

可交付成果

  • GDSII 版图或源代码;

  • 基于核心IP开发的一站式交付 ASIC。