经过生产验证的,复杂的半导体IP核

半导体电路设计IP及配套交付件


T2M DDR 40LP工艺的DDR3/ DDR2 组合 PHY IP

40LP工艺的DDR3/ DDR2 组合 PHY IP

概述和功能介绍

DDR3/2  PHY与JEDEC DDR3和JEDEC DDR2 SDRAM兼容,DDR3模式下DRAM速度为666Mbps~1866Mbps,DDR4模式下DRAM速度为666Mbps~1066Mbps, DDR3/DDR2 SDRAM组件最高支持16个AXI端口,这个设计包括模拟硬宏(CLK/CMD/ADDR/DQ/DQS)和可合成的数字设计。设计支持软件自动训练,包括读门、读/写数据眼计时和PHY Vref设置。DDR3/2 PHY IP通过硅验证具有高性能、低延迟、低面积、低功耗的特性,易于集成在客户的产品中,缩短客户产品研发周期

功能描述
  • 支持 DDR3/DDR2 SDRAM
  • DDR3 JEDEC 标准 1.5V I/O(兼容 SSTL_15)
  • DDR2 JEDEC 标准 1.8V I/O(兼容 SSTL_18)
  • 16 位宽,单通道 DDR3/DDR2 SDRAM 接口。
  • 每通道 16 位,可支持 2 x8 位 DDR3轨道
  • 内存时钟频率高达466MHz,DFI时钟频率高达466MHz。
  • 支持 DDR3 800/1066/1333/1600/1866Mbps;DDR2 800/1066Mbps
  • 支持类似DFI的接口
  • 支持连续请求
  • 4 位预取架构
  • 用于 933MHz 的 DLL 锁定
  • 支持软件 DDR 培训
  • 支持 DDR IO 环回测试
  • 提供每比特去偏斜功能
  • 可编程 DQS、DQS# 读/写偏移
  • 可编程 CS, MA ,CK/CK#, ODT 偏移
  • 支持 DDR3 DLL 禁用模式 (CL6/CWL6)
  • 支持 DDR3/DDR2 CL=5 ~ CL17
  • 支持 DDR3/DDR2 CWL=5, CWL=11
  • 支持 DDR3 读眼训练
  • 支持 DDR3 写入眼部训练
  • 支持 DDR2 读取门控训练
  • 支持 DDR2 读眼训练
  • 支持 DDR2 写入眼部训练
  • 支持 DDR3 保留模式
  • 支持 DQ TX/RX 每位 纠偏
  • 0.9V核心电源
  • 1.5V DDR3 IO 电源
  • 1.8V DDR2 IO 电源
  • 支持软件 DDR 培训
  • DDR3 训练:支持 RX_GATED 训练、RX/TX 路径的 perbit 去偏斜、DQ RX 眼部训练和 DQ TX 眼部训练
  • DDR2 训练:支持 RX_GATED 训练、RX/TX 路径的 perbit 去偏斜、DQ RX 眼部训练和 DQ TX 眼部训练

优势

  • 每通道 16 位,可支持 2 x8 位 DDR3
  • 内存时钟高达 466MHz,DFI 时钟高达 466MHz
  • 支持 DDR3 800/1066/1333/1600/1866Mbps;DDR2 800/1066Mbps
  • 支持 DDR3 保留模式
  • 支持 DDR3 突发长度 4/8
  • 支持类似DFI的接口
  • 支持连续请求

应用领域

  • 固态硬盘控制器
  • 数字电视
  • 移动
  • 多媒体
  • 设置框
  • 数据中心(网络和存储)
  • 服务器
  • 高性能计算
  • 物联网
  • 监控

交付件

  • 用户手册
  • 行为 模型和受保护的 RTL 代码
  • 受保护的帖子布局网表和标准
  • 延迟格式 (SDF)
  • 帧视图 (LEF)
  • 金属GDS (GDSII)
  • 测试模式和测试文档