经过生产验证的,复杂的半导体IP核

半导体电路设计IP及配套交付件


T2M Bluetooth TSMC 40nm 工艺 BLE v6.0 射频 PHY IP

TSMC 40nm 工艺 BLE v6.0 射频 PHY IP

概述和功能介绍

基于 TSMC 40nm eFlash RF ULP 工艺节点开发的低功耗蓝牙(BLE) v6.0 射频 PHY IP,完全兼容 BLE 核心规范至 6.0 版,为下一代无线连接提供高性能保障。该 IP 核专为超低功耗应用场景设计,内置自动校准功能,可无缝集成于 SoC;可选集成基带调制解调器以满足不同定制需求。器件占用面积小于 0.76 mm²,兼顾了极佳的面积效率与功耗表现。BLE 6.0 新增信道探测(Channel Sounding)功能,可提升信号强度测量的精度,为产品在无线通信技术上提供先进支持。

功能描述
  • 兼容BLE 6.0,支持 1 Mbps / 2 Mbps 数据速率、长距离模式及信道探测等高级功能;

  • 具有内部匹配网络的单端天线接口;

  • 极简引脚与掩膜层:

    • 最少的 IO 引脚数与工艺掩膜层,降低制造复杂度;

  • 紧凑型模拟硬核 IP(射频面积 < 0.76 mm²);

  • 接收噪声系数 < 6 dB,发射输出功率最高可达 +10 dBm;

  • 超低功耗:

    • RX 模式功耗 < 9.7 mW(1.1 V 供电);

    • TX 模式功耗 < 13.8 mW(1.1 V 供电);

  • 完善的 ESD 保护

    • I/O焊盘均集成静电放电保护;

  • 工艺与封装:

    • 支持 TSMC 40nm eFlash RF ULP 工艺节点;

    • 工作温度范围:–40 °C 至 +125 °C;

    • 支持 QFN 与 CSP 封装。

可交付成果

  • GDSII 版图或源代码,便于一键导入;

  • 数字 RTL 源代码,支持二次开发;

  • 完整设计移交文档,确保快速集成与验证。