基于 TSMC 40nm eFlash RF ULP 工艺节点开发的低功耗蓝牙(BLE) v6.0 射频 PHY IP,完全兼容 BLE 核心规范至 6.0 版,为下一代无线连接提供高性能保障。该 IP 核专为超低功耗应用场景设计,内置自动校准功能,可无缝集成于 SoC;可选集成基带调制解调器以满足不同定制需求。器件占用面积小于 0.76 mm²,兼顾了极佳的面积效率与功耗表现。BLE 6.0 新增信道探测(Channel Sounding)功能,可提升信号强度测量的精度,为产品在无线通信技术上提供先进支持。
兼容BLE 6.0,支持 1 Mbps / 2 Mbps 数据速率、长距离模式及信道探测等高级功能;
具有内部匹配网络的单端天线接口;
极简引脚与掩膜层:
最少的 IO 引脚数与工艺掩膜层,降低制造复杂度;
紧凑型模拟硬核 IP(射频面积 < 0.76 mm²);
接收噪声系数 < 6 dB,发射输出功率最高可达 +10 dBm;
超低功耗:
RX 模式功耗 < 9.7 mW(1.1 V 供电);
TX 模式功耗 < 13.8 mW(1.1 V 供电);
完善的 ESD 保护
I/O焊盘均集成静电放电保护;
工艺与封装:
支持 TSMC 40nm eFlash RF ULP 工艺节点;
工作温度范围:–40 °C 至 +125 °C;
支持 QFN 与 CSP 封装。
可交付成果
GDSII 版图或源代码,便于一键导入;
数字 RTL 源代码,支持二次开发;
完整设计移交文档,确保快速集成与验证。