经过生产验证的,复杂的半导体IP核

半导体电路设计IP及配套交付件


T2M Bluetooth TSMC 40nm 工艺蓝牙6.0双模射频PHY IP核

TSMC 40nm 工艺蓝牙6.0双模射频PHY IP核

概述和功能介绍

基于 TSMC 40nm ULL工艺开发的超低功耗双模射频 PHY IP,旨在满足2.4 GHz频段标准,如蓝牙经典模式(BR/EDR)、蓝牙低功耗(BLE)、802.15.4物理层(如ZigBee)以及专有标准。该 IP 在典型模式下功耗低于 3 mW,具备规定范围内的接收灵敏度和抗干扰能力;内置 LDO 电源管理模块及可编程基带调制解调器,接口与主流蓝牙基带控制器兼容,便于集成于 ASIC/SoC。最新 22 nm 版本已新增信道探测功能。

功能描述
  • 蓝牙 6.0 双模射频支持,包括 EDR 和 LE 2Mbps,用于高质量的 BT 音频流;

  • 支持信道探测(Channel Sounding);

  • 高精度;

  • 支持 BLE 长距离及方向探测(DF);

  • 集成链路层与可编程基带调制解调器;

  • 兼容 IEEE 802.15.4-2011 及多种调制方式;

  • 采用TSMC 40nm ULL工艺;

  • 工作模式:

    • “仅 BLE” 或 “BLE + Classic” 双模可选;

  • 立体声音频流的平均功耗:1.1mW (Bluetooth EDR) / 0.6 mW (BLE);

  • 最大发射功率可达 +13 dBm;

  • 温度范围:–40 °C 至 +125 °C。

可交付成果

  • GDSII 版图文件;

  • 模拟/射频行为模型;

  • 数字部分 RTL 代码;

  • 测试平台(Test Bench);

  • 技术文档。