经过生产验证的,复杂的半导体IP核

半导体电路设计IP及配套交付件


T2M DDR 28HPC+ 封装工艺的LPDDR4/ DDR4/ DDR3L 多层 IP

28HPC+ 封装工艺的LPDDR4/ DDR4/ DDR3L 多层 IP

概述和功能介绍

LPDDR4/ DDR4/ DDR3L 组合 PHY IP 提供低延迟的传输,并支持高达 1866Mbps 的吞吐量。这个PHY IP 通过台积电 28HPC+ 工艺技术的硅验证,符合最新的 JEDEC 规范,专为客户缩短研发周期让产品快速进入市场而设计.

 

功能描述
  • 支持的内存类型:DDR3L/DDR4/LPDDR4
  • 最大控制器时钟频率为 400MHz,最大 DRAM 数据速率为 1866Mbps
  • 接口: SSTL135/POD12/LVSTL
  • 数据路径宽度以 32 位为增量缩放
  • 四个模块,配置灵活 :CA/DQ_X16/DQ_X8/ZQ
  • 可编程输出阻抗 (DS)
  • 可编程片上端接 (ODT)
  • 核心电源:0.9V,I/O电源:1.5V/1.35V/1.2V,接收电源:1.8V
  • 静电放电: 2KV/HBM, 200V/MM, 500V/CDM
  • 支持ZQ校准
  • 支持8个等级
  • 支持写入均衡、CBT
  • 支持物理层内部 VREFDQ 自动决策
  •  读写数据路径中的每位纠偏
  • 通过台积电 28HPC+ 工艺技术的硅验证
  • 支持的金属方案:1P7M_1C

交付件

  • 应用说明/用户手册
  • 行为 模型和受保护的 RTL 代码
  • 受保护的帖子布局网表和标准延迟格式 (SDF)
  • 帧视图 (LEF)
  • 金属GDS (GDSII)
  • 测试模式和测试文档